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Qualcomm Snapdragon 835

Die Qualcomm Snapdragon 835 Serie wurde am 17. November 2016 mit dem Snapdragon 835 (MSM8998) eingeführt und stellt Qualcomms erste Produktreihe dar, die mit der 10 Nanometer Technologie gefertigt wird. Die SoCs der Serie benutzen das verbesserte Kryo 200-Design und integrieren 8 CPU-Kerne, die auf 2 Quad-Core-Cluster verteilt sind. Der integrierte Speichercontroller unterstützt LPDDR4X-Speicher mit 1866 MHz. Die Qualcomm Adreno 540 ist für 3D-Berechnungen zuständig und ist modernen APIs wie Vulkan 1.0 auf dem neuesten Stand. Ein integriertes Snapdragon X16 LTE Cat. 16-Modem sorgt für rasante 1 GB/s Downlink- und 150 MB/s Uplink-Geschwindigkeiten.

Architektur
Das mit der Snapdragon 820 Serie eingeführte Kryo-CPU-Design wurde in der Qualcomm Snapdragon 835 Serie weiter verbessert. Die neue 10 Nanometer Technologie bietet bessere Energieeffizienz, da die Transistoren näher beieinandersitzen als bei der bislang verwendeten 14 nm Prozesstechnologie. Dadurch werden deutlich höhere Taktfrequenzen möglich, womit die Leistung ebenfalls steigt. Wie die ursprünglich Kryo-CPU basiert auch die Kryo 200-CPU auf ARMs 64-Bit ARMv8 Instruction-Set-Architektur (ISA) und unterstützt die 64-Bit-Instruktionen (AArch64) und die 32-Bit-Instruktionen (AArch32), die die Instruktionen der älteren ARMv7 ISA (A32) und die Thumb-Instruktionen (T32) umfassen. Darüber hinaus werden die TrustZone-Sicherheitstechnologie, das NEON Advanced SIMD Instruction Set, die DSP- und SIMD-Erweiterungen, die VFPv4 Floating-Point-Instruktionen und Hardware-Visualisierung unterstützt. Im Gegensatz zur Snapdragon 820 Serie wurde die Zahl der CPU-Kerne verdoppelt, was u.a. durch die gestiegene Energieeffizienz des Kryo 200-Design zu rechtfertigen ist. D.h. dass einer der Quad-Core-Cluster mit sehr hohen Taktfrequenzen arbeitet und vollständig für anspruchsvolle Anwendungen wie 3D-Spiele zur Verfügung steht, während in der Snapdragon 820 Serie nur 2 Hochleistungskerne vorhanden waren. Die restlichen 4 Kerne sind niedriger getaktet und für leichte bis mittlere Workloads wie Hintergrundprozesse und Web-Browsing geeignet. Die beiden Cluster sind in einer ARM big.LITTLE-Konfiguration verbunden. Die Qualcomm Snapdragon 835 Serie führt die Quick Charge 4.0-Technologie ein, wodurch die Ladezeit um 20% gegenüber Quick Charge 3.0 verkürzt wird. 5 Minuten Ladezeit können bis zu 5 Stunden Akkulaufzeit herstellen und 15 Minuten Ladezeit laden den Akku bis zu 50% auf. Qualcomms aktuelle Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV)-Technologie verhindert, dass sich das Smartphone beim Laden aufheizt. Auf den Snapdragon 835 SoCs sind WLAN 802.11a/b/g/nc/ad-Modul und Bluetooth 4.2 integriert.

Die Adreno 540 ist eine High-End-GPU, über die bislang noch nicht viel bekannt ist, außer dass sie API-Unterstützung für Vulkan 1.0 bietet und damit von Entwicklern sehr effektiv für 3D-Berechnungen in Spielen eingesetzt werden kann.

Leistung
Durch den verkleinerten Fertigungsprozess nehmen die SoCs der Qualcomm Snapdragon 835 Serie 30% weniger Fläche als die Vorgänger der Snapdragon 820 Serie ein. Die Leistung des Snapdragon 835 wurde um bis zu 27% gegenüber dem ohnehin starken Snapdragon 821 verbessert, bei einer Verringerung des Energiebedarfs um 40%. Moderne 3D-Spiele in hoher Auflösung und mobile VR sollten daher kein Problem für die SoCs darstellen.
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