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CES 2017: Qualcomm nennt alle Details zum Snapdragon 835 (Bild 1 von 1)Bildquelle: Qualcomm
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Snapdragon 835: Beim Nachfolger des Snapdragon 820/821 handelt es sich um einen fortschrittlichen 10nm Octa-Core-Chipsatz, den Qualcomm von Samsung fertigen lässt.

Qualcomm hat im Zuge der CES 2017 Woche nun die wichtigsten Details zu seinem neuen High-End-Chipsatz, dem Snapdragon 835, enthüllt. Der Nachfolger des Snapdragon 820/821 wird das erste Qualcomm-SoC sein, welches im fortschrittlichen 10 Nanometer FinFET Prozess gefertigt wird, und soll sich besonders gut für leistungshungrige Anwendungen wie Spiele und Virtual Reality Erfahrungen eigenen. Außerdem wird der neue Chipsatz in ausdauernden Mobilgeräten mit Windows 10 Unterstützung zum Einsatz kommen.

Was den Hauptprozessor des Snapdragon 835 angeht, so setzt Qualcomm bei seinem neuen SoC auf eine Octa-Core-Konfiguration, die auf derselben Kryo-Architektur basiert wie zuvor der Quad-Core-Chip Snapdragon 820/821. Die neue Entwicklung bezeichnet der Chiphersteller als Kryo 280 CPU, die sich aus vier „Performance-Cores“ mit Taktraten von bis zu 2,45 Gigahertz und vier „Low-Power-Cores“ mit einem Takt von bis zu 1,9 Gigahertz zusammensetzt. Dank des moderneren Fertigungsprozesses sowie dem neuen Chip-Design soll der Snapdragon 835 eine um rund 35 Prozent kleiner Fläche beanspruchen und 25 Prozent weniger Strom verbrauchen als die Vorgängergeneration.

Auch im Bereich der Grafikeinheit tut sich beim Snapdragon 835 natürlich etwas. Qualcomm integriert in dem SoC statt der Adreno 530 nun die Adreno 540 GPU. Diese unterstützt OpenGL ES 2.0, OpenCL 2.0, die Vulkan API sowie DirectX 12 und soll um rund 25 Prozent leistungsfähiger sein als die schnellste Adreno-GPU des Vorjahres. Darüber hinaus können mit Hilfe der neuen GPU 4K-Inhalte abgespielt sowie 4K-Videos mit 30 oder 60 Bildern pro Sekunde aufgezeichnet werden und an Unterstützung für Googles Virtual Reality Plattform Daydream wurde ebenfalls gedacht.

In Sachen Bildverarbeitung bietet der Snapdragon 835 Hardware-Herstellern nun die Möglichkeit, Geräte zu bauen, die entweder eine Kamera mit bis zu 35 Megapixel Sensor, oder eine Dual-Kamera-Anordnung mit zwei bis zu 16 Megapixel Sensoren aufweisen. Außerdem hat Qualcomm mehrere neue Sicherheitsfeatures in den Chipsatz implementiert, was offiziell als „Qualcomm Haven Security Platfrom“ bezeichnet wird. Im Grunde handelt es sich dabei um Verbesserungen für die Nutzerauthentifizierung via Fingerabdruck- oder Iris-Scanner.

Weitere Neuerungen des diesjährigen Qualcomm-Chipsatzes sind das X16 LTE Modem, welches Cat. 16 Download-Geschwindigkeiten von theoretisch 1 Gigabit pro Sekunde und Cat. 13 Upload-Geschwindigkeiten von theoretisch 150 Megabit pro Sekunde erlaubt sowie die Unterstützung des brandneuen Bluetooth 5.0 Standards und von Quick Charge 4.0. Die zuletzt genannte Schnellladetechnologie hatte Qualcomm bereits im November 2016 angekündigt. Quick Charge 4.0 soll rund 20 Prozent schneller und bis zu 30 Prozent effizienter arbeiten als Quick Charge 3.0 und unterstützt außerdem USB-C Power Delivery.

Qualcomms eigenen Angaben nach wird das Snapdragon 835 bereits in Serie produziert und somit darf mit ersten Smartphones und/oder Tablets, die das neue SoC nutzen, im ersten Halbjahr 2017 gerechnet werden. Es ist zu erwarten, dass praktisch alle namhaften und auch weniger namhaften Smartphone-Hersteller den Chipsatz in ihren kommenden Produkten verbauen. Aufgrund der im Moment vorliegenden Details zum Snapdragon 835 spricht also vieles dafür, dass Qualcomm wieder ein sehr erfolgreiches Jahr bevorsteht.

Quelle: Qualcomm

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